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IXFK64N60Q3
IXFX64N60Q3
80
70
Fig. 7. Input Admittance
70
60
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
60
50
25oC
125oC
50
40
40
30
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
20
10
0
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
14
V DS = 300V
I D = 32A
160
120
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
12
10
8
6
4
2
0
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
1,000
Coss
10
100μs
100
Crss
1
T J = 150oC
1ms
T C = 25oC
Single Pulse
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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